如果不向上攀爬，就得掉坑里

自南美远道而来的水豚君，上攀爱吃草，爱睡觉，每天都是慢悠悠的，脾气也超好，怎么rua也不反抗，尤其吃菜的时候嘴巴鼓鼓的，越看越能萌翻人儿。

比如，掉坑二维贵金属（Au,Pt，Pd等）可以用作氧还原，甲醇和富马酸氧化等，二维Ni可以用来电化学产氢，二维Bi可以用来二氧化碳还原。有趣的是，上攀PVP的选择性吸附在这一光化学过程的动力学控制中发挥了重要作用。

不要再犹豫，掉坑下一个专栏创始人就是你。以液-气界面处的溶剂蒸发为例，上攀溶剂的挥发减少可破坏胶体悬浮液的平衡并诱导单层结构的形成[12]，上攀最终通过连续干燥过程就可以得到具有连续的超晶格结构的二维金属膜（图2a）。掉坑最简单的是限制二维金属生长在二维模板的夹层或表面上。

在微孔封闭、上攀干燥辅助的的自组装过程中使用50-硫醇化单链DNA（可以封端Au纳米颗粒）作为干燥配体，可以得到单层二维Au超晶格纳米片（图2b）。使用这种方法，掉坑溶剂和超声时间的选择至关重要。

上攀2.2晶种生长法晶种生长是另外一种常用的合成二维金属的方法。

通过超声波的剪切力来克服相邻金属层-层间的范德华吸引力（图3c），掉坑从而达到剥离的效果。随后，上攀本文选取MUSCA方法计算出的i-v关系，通过使用Dunn模型对Ti3C2Tx电极在不同扫速下进行了分析，结果如图4所示。

掉坑本文通过MUSCA方法（图二）来减小欧姆降的影响。图1：上攀MXene的SEM图以及其在3M硫酸中CV图从图1b中可以看出，上攀在CV实验中，随着扫速的增大，反应峰位置在欧姆降的影响下发生较大偏移，这会显著影响Dunn模型计算结果的准备性。

掉坑这些分析模型的数据来源是循环伏安法测试（CV）。从事电化学基础及储能材料与器件的研究，上攀尤其在二维过渡金属碳氮化物（MXene）的电化学储能机理及电极结构设计等研究方向中取得一系列创新性成果。